載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
SIDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES LIMITED
一家專(zhuān)業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商。載德半導(dǎo)體公司所代理的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要產(chǎn)品包括:霍爾效應(yīng)測(cè)試儀、金剛石劃片機(jī)、真空共晶爐、電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)、探針臺(tái)、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)、快速退火爐、回流焊爐、原子層沉積系統(tǒng)、光刻機(jī)等。
-
500
m2占地面積
-
25
人職工人數(shù)
-
2006
年公司創(chuàng)建于
產(chǎn)品中心
PRODUCT CENTER
RTP-1200快速退火爐
韓國(guó)Ecopia公司生產(chǎn),最大樣品尺寸:15mm X 20mm。RTP-1200特點(diǎn):使用單相電,普通照明電即可使用;風(fēng)冷設(shè)計(jì)、無(wú)須采購(gòu)冷水機(jī);真空退火,可以使用氫氮混合氣(<10%比例氫氣)。
RTP-100快速退火爐
德國(guó)優(yōu)尼坦公司生產(chǎn),最大樣品尺寸:4英寸晶圓或者100mm x 100mm尺寸樣品,RTP-100支持惰性氣體保護(hù)、低真空或高真空快速熱處理。
RTP-150快速退火爐
德國(guó)優(yōu)尼坦公司生產(chǎn),最大樣品尺寸:6英寸晶圓或者156mm x 156mm尺寸樣品,RTP-150可以支持惰性氣體保護(hù)、低真空或高真空快速熱處理。
VPO-300快速退火爐
德國(guó)優(yōu)尼坦公司生產(chǎn),最大樣品尺寸:12英寸晶圓或300mm x 300mm尺寸樣品,VPO-300支持惰性氣體保護(hù)、低真空、或高真空快速熱處理。
Ecopia HMS-3000霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
HMS-3000是全世界最暢銷(xiāo)的一款霍爾效應(yīng)測(cè)試儀型號(hào)!
Ecopia HMS-3500高溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類(lèi)型等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是理解和研究半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。
Ecopia HMS-5000全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類(lèi)型等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是理解和研究半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。
Ecopia HMS-5300全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類(lèi)型等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是理解和研究半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。
EPS-300探針臺(tái)
EPS-300是韓國(guó)Ecopia公司最暢銷(xiāo)的一款手動(dòng)探針臺(tái)。EPS-300尺寸緊湊,高性?xún)r(jià)比,適合放置在手套箱、屏蔽箱內(nèi)使用,適合與太陽(yáng)光模擬器或其他儀器聯(lián)用。
EPS-1000探針臺(tái)
EPS-1000是韓國(guó)Ecopia高端的手動(dòng)探針臺(tái),有鎖針設(shè)計(jì)防止回針,臺(tái)面快速升降方便晶圓測(cè)試,適合科研及微電子器件的失效分析。
ETCP-2000低溫探針臺(tái)
ETCP-2000變溫真空探針臺(tái),溫控范圍:80K~573K,最大樣品尺寸:4英寸,高性?xún)r(jià)比。
MPS微探針臺(tái)
MPS微探針臺(tái)(Micro Probe Station)尺寸小、重量輕,具備變溫測(cè)試及真空測(cè)試功能,適用于科研工作,也適用于與其他儀器聯(lián)用,是一款非常有特點(diǎn)的微探針系統(tǒng)。
原子層沉積系統(tǒng)
美國(guó)埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統(tǒng),包括:傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)(TALD)、等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)(Power-ALD)。
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)。它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬,使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜??烧舭l(fā)很多難熔金屬或者蒸汽壓低的金屬材料,包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…VS5電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)是英國(guó)牛津真空公司生產(chǎn),臺(tái)式設(shè)計(jì)、軟件自動(dòng)操控、高性?xún)r(jià)比,非常適合實(shí)驗(yàn)室科研使用。
電阻式熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
VS5電阻式熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)是英國(guó)牛津真空公司生產(chǎn),臺(tái)式設(shè)計(jì)、軟件自動(dòng)操控、高性?xún)r(jià)比,非常適合實(shí)驗(yàn)室科研使用。
通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱(chēng)為熱蒸發(fā)鍍膜,熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是歷史最悠久的PVD鍍膜技術(shù)之一。熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)一般主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。以下為蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的示意圖。
光刻機(jī)/紫外曝光機(jī) (Mask Aligner)
光刻機(jī)又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng),紫外曝光機(jī)等。ECOPIA為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商,多年來(lái)致力于掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)和勻膠機(jī)研發(fā)與生產(chǎn),并且廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、生物器件和納米科技領(lǐng)域;該公司是目前世界上最早將光刻機(jī)商品化的公司之一,擁有雄厚的技術(shù)研發(fā)力量和設(shè)備生產(chǎn)能力;并且其設(shè)備被眾多著名企業(yè)、研發(fā)中心、研究所和高校所采用;以?xún)?yōu)秀的技術(shù)、精湛的工藝和良好的服務(wù),贏(yíng)得了用戶(hù)的青睞。
金剛石劃片機(jī) (Diamond Scriber)
德國(guó)尤尼坦RV系列金剛石手動(dòng)劃片機(jī)(Diamond Scriber),適用于陶瓷、玻璃、半導(dǎo)體晶圓等多種材料劃片。主要型號(hào)包括:精確手動(dòng)晶圓劃片機(jī)RV-129,低成本手動(dòng)劃片機(jī)RV-126等。
半自動(dòng)球焊機(jī)/鍥焊機(jī) (Wire Bonder)
Wire Bonding是微電子及半導(dǎo)體器件的常用工藝,WB-200半自動(dòng)焊線(xiàn)機(jī)可進(jìn)行球焊、鍥焊、跳焊(Pump)等焊線(xiàn)工藝。
真空共晶爐
德國(guó)尤尼坦真空共晶爐、燒結(jié)爐,緊湊臺(tái)式設(shè)計(jì),可在氮?dú)?甲酸等氛圍操作,廣泛用于激光、射頻電路、功率器件等微電子光電子行業(yè)的晶粒貼裝,以及金-硅合金,密集焊接和回流共晶。
光學(xué)薄膜測(cè)厚儀
薄膜表面或界面的反射光會(huì)與從基底的反射光相干涉,干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數(shù)等有關(guān),因此可通過(guò)計(jì)算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無(wú)損、精確且快速的光學(xué)薄膜厚度測(cè)量技術(shù),我們的薄膜測(cè)量系統(tǒng)采用光干涉原理測(cè)量薄膜厚度。
該產(chǎn)品是一款價(jià)格適中、功能強(qiáng)大的膜厚測(cè)量?jī)x器。近幾年,每年的全球銷(xiāo)售量都超過(guò)200臺(tái)。根據(jù)型號(hào)不同,測(cè)量范圍可以從10nm到250um,它最高可以同時(shí)測(cè)量4個(gè)膜層中的3個(gè)膜層厚度(其中一層為基底材料)。該產(chǎn)品可應(yīng)用于在線(xiàn)膜厚測(cè)量,測(cè)氧化物、SiNx、感光保護(hù)膜和半導(dǎo)體膜,也可以用來(lái)測(cè)量鍍?cè)阡?、鋁、銅、陶瓷和塑料等上的粗糙膜層。
掃描開(kāi)爾文探針
開(kāi)爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置,用于測(cè)量導(dǎo)體材料的功函數(shù)(Work Function)或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢(shì)(Surface Potential)。材料表面的功函數(shù)通常由最上層的1-3層原子或分子決定,所以開(kāi)爾文探針是一種最靈敏的表面分析技術(shù)。主要型號(hào):KP020 (單點(diǎn)開(kāi)爾文探針),SKP5050(掃描開(kāi)爾文探針)。
WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x
德國(guó)WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。
電化學(xué)ECV剖面濃度測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開(kāi)發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程并且以被使用在多種不同的材料上,例如:硅、鍺、III-V族化合物半導(dǎo)體(如GaN)。
載德在全球
SIDE SEMICONDUCTOR ELECTRIC GLOBAL SERVICES
載德半導(dǎo)體秉承“創(chuàng)新、優(yōu)質(zhì)與不斷改良”的企業(yè)理念,我們將更高效地為國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的銷(xiāo)售提供更完善的服務(wù)。
新聞資訊
NEWS AND INFORMATION
產(chǎn)品中心
新聞中心
關(guān)于載德
總機(jī):021-65342985 客服熱線(xiàn):021-65342985
周一至周日 8:00-20:30
地址:上海楊浦區(qū)松花江路251弄白玉蘭環(huán)保廣場(chǎng)7號(hào)樓602室
郵箱:info@cross-tech.com.cn 滬ICP備2020028701號(hào)-1
Copyright ? 2020 載德半導(dǎo)體 網(wǎng)站建設(shè):中企動(dòng)力 上海
手機(jī)端
搜索
搜索